IGBT中頻電源與KGPS中頻電源的區(qū)別與聯(lián)系
IGBT中頻電源與KGPS中頻電源的區(qū)別與聯(lián)系
發(fā)布時(shí)間：
2024-04-25 10:01
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IGBT中頻電源與KGPS中頻電源的區(qū)別與聯(lián)系
現(xiàn)在很多人對KGPS和IGBT很迷惑，不知道到底是什么東西？一下內(nèi)容是筆者從網(wǎng)上搜集來的，憑著筆者對感應(yīng)加熱電源的了解，但愿能夠幫助您接觸這種疑惑。
一、 可控硅中頻電源,也就晶闡管，也就是經(jīng)常說的KGPS.這類電源的優(yōu)點(diǎn)是技術(shù)成熟、質(zhì)量可靠、價(jià)格便宜、缺點(diǎn)是電效率相比IGBT中頻電源低10-20百分點(diǎn),另外整流部分的諧波對用戶電網(wǎng)系統(tǒng)有影響,嚴(yán)重時(shí)會(huì)損壞電網(wǎng)內(nèi)其它設(shè)備.
二、 IGBT中頻電源,這類電源在國內(nèi)開發(fā)周期不長,優(yōu)點(diǎn)是電效率高,一般可達(dá)百分90以上.故比可控硅電源節(jié)電10-20百分點(diǎn),對電網(wǎng)的影響很小,缺點(diǎn)是技術(shù)成熟度相對可控硅式低一點(diǎn),價(jià)格較高.但是從長期的節(jié)電效果來說購買IGBT電源還是相當(dāng)劃算的。因?yàn)槟阋荒旯?jié)省的電費(fèi)完全可以再買一臺(tái)或者兩臺(tái)這樣的設(shè)備。
三、從體積上來說，晶闡管,KGPS 可控硅中頻電源,這種同功率比較相對來說體積會(huì)比IGBT中頻電源大一些其實(shí)大多數(shù)IGBT的感應(yīng)設(shè)備，頻率都在10KHZ以上，而可控硅中頻設(shè)備頻率都在10KHZ以下中頻的設(shè)備.
四、可控硅式（kgps）中頻電源頻率都較小，但是功率可以做得比較大，國外有可以做到4000KW的。而IGBT中頻電源因?yàn)樗念l率較高，而導(dǎo)致它的功率不可能做得像KGPS中頻電源那么大的功率?？萍荚诎l(fā)展，任何事情都沒有那么絕對。人們都在試圖用IGBT電源開發(fā)大功率的加熱設(shè)備。目前美國好像有IGBT電源功率可達(dá)到1000KW而頻率也在50KHZ的感應(yīng)加熱設(shè)備。
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是MOSFET(雙極型晶體管)與GTR（大功率晶體管）的復(fù)合器件。因此，它既具有MOSFET的工作速度快、輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡單、熱溫度性好的優(yōu)點(diǎn)，又包含了GTR的載流量大、阻斷高壓等多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，是取代GTR和SCR（可控硅）的理想開關(guān)元器件。從1996年至今，尤其是最近幾年來IGBT發(fā)展很快，目前已被廣泛地應(yīng)用于各種逆變器件中。
西安奧邦科技有限責(zé)任公司是國內(nèi)最早具規(guī)模生產(chǎn)的中頻爐廠家之一。主營產(chǎn)品有中頻爐，熔煉爐，中頻電爐，中頻熔煉爐…等感應(yīng)加熱設(shè)備。主要用于鑄造熔煉，和鍛壓、燒結(jié)、彎管成型前的透熱處理，及機(jī)械零部件的淬火等感應(yīng)加熱領(lǐng)域。其次用于鋼鐵，銅，鋁，鋅，錫，金銀等金屬的熔煉或加熱。
新型節(jié)能中頻爐，中頻電爐產(chǎn)品具有快速熔煉，占地面積小，溫度易控制，污染小，符合環(huán)保要求等優(yōu)點(diǎn)。古城迎賓客，共敘奧邦情13891865812 羅總 更多資訊請登錄:http://www.jiancai114.cn
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